温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
收藏
型号: NTY100N10
描述: 功率MOSFET 123 A, 100 V的N沟道增强型TO264封装 Power MOSFET 123 A, 100 V N-Channel Enhancement-Mode TO264 Package
商品二维码
封 装: TO-264-3
货 期:
包装方式: Tube
标准包装数: 1
64.09  元 64.09元
1-9:
¥ 73.7035
10-99:
¥ 70.4990
100-249:
¥ 69.9222
250-499:
¥ 69.4736
500-999:
¥ 68.7686
1000-2499:
¥ 68.4481
2500-4999:
¥ 67.9995
≥5000:
¥ 67.6150
数量
1-9
10-99
100-249
250-499
500-999
价格
73.7035
70.4990
69.9222
69.4736
68.7686
价格 73.7035 70.4990 69.9222 69.4736 68.7686
起批量 1-9 10-99 100-249 250-499 500-999
  • 运费   有货 运费价格:¥13.00
  • 数量
    库存(6604) 起订量(1)
加入购物车 立即购买
欢迎使用亿配芯城AI助手
芯片AI助手  芯片AI顾问
相关文件下载:
PDF
  • 失望
  • 一般
  • 满意
  • 喜欢
  • 超爱

技术参数/额定电压(DC):

100 V

 

技术参数/额定电流:

123 A

 

技术参数/通道数:

1

 

技术参数/漏源极电阻:

9 mΩ

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

313 W

 

技术参数/输入电容:

10.1 nF

 

技术参数/栅电荷:

350 nC

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

100 V

 

技术参数/栅源击穿电压:

±20.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

123 A

 

技术参数/上升时间:

150 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

10110pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

313 W

 

技术参数/下降时间:

250 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

313W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/封装:

TO-264-3

 

外形尺寸/长度:

20.3 mm

 

外形尺寸/宽度:

5.3 mm

 

外形尺寸/高度:

26.4 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-264-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Unknown

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Contains Lead

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

最有帮助的评价

  只显示带图评价

最新评价

加载更多

暂时还没有评价

期待你分享科技带来的乐趣

提问
抱歉,没有找到答案,您可以点击“提问”提交此条提问给已经购买者、Suteshop商城官方客服和产品经理,我们会及时回复。

暂时还没有提问

对商品还不太了解,问问看吧

加载更多
    暂无数据

©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号

Scroll

对比栏

展开

对比

清空