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技术参数/频率：
200 MHz
技术参数/耗散功率：
650 mW
技术参数/增益频宽积：
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)：
40 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE)：
100 @150mA, 10V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE)：
300
技术参数/额定功率(Max)：
技术参数/工作温度(Max)：
150 ℃
技术参数/工作温度(Min)：
65 ℃
技术参数/耗散功率(Max)：
1900 mW
封装参数/安装方式：
Through Hole
封装参数/引脚数：
14
封装参数/封装：
TO-116-14
外形尺寸/封装：
物理参数/材质：
Silicon
物理参数/工作温度：
-65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期：
Active
其他/包装方式：
Tube
符合标准/RoHS标准：
RoHS Compliant
符合标准/含铅标准：
Lead Free
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