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型号: VQ2001P
描述: P沟道增强型MOSFET晶体管 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors
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封 装: DIP-14
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技术参数/漏源极电阻:

2 Ω

 

技术参数/极性:

4*P-CH

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

30 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

600mA

 

技术参数/耗散功率(Max):

2 W

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/封装:

DIP-14

 

外形尺寸/封装:

DIP-14

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃

 

其他/最小包装:

25

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

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