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描述: IC DRAM 2GBIT PARALLEL DIE
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其他/RoHS 状态:

符合 ROHS3 规范

 

其他/湿气敏感性等级 (MSL):

3(168 小时)

 

其他/REACH 状态:

非 REACH 产品

 

其他/ECCN:

EAR99

 

其他/HTSUS:

8542.32.0036

 

其他/制造商:

Micron Technology Inc.

 

其他/系列:

-

 

其他/包装:

散装

 

其他/Product Status:

停产

 

其他/存储器类型:

易失

 

其他/存储器格式:

DRAM

 

其他/技术:

SDRAM - DDR3L

 

其他/存储容量:

2Gbit

 

其他/Memory Organization:

256M x 8

 

其他/存储器接口:

并联

 

其他/写周期时间 - 字,页:

-

 

其他/电压 - 供电:

1.283V ~ 1.45V

 

其他/工作温度:

0°C ~ 95°C(TC)

 

其他/安装类型:

-

 

其他/封装/外壳:

-

 

其他/供应商器件封装:

-

 

其他/基本产品编号:

MT41K256M8

 

符合标准/RoHS标准:

 

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