技术参数/正向电压： | 1.1 V |
|
技术参数/最大反向电压（Vrrm）： | 120V |
|
技术参数/正向电流： | 20 A |
|
技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）： | 120 A |
|
技术参数/正向电压(Max)： | 1.1 V |
|
技术参数/正向电流(Max)： | 20 A |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -40 ℃ |
|
封装参数/安装方式： | Through Hole |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | TO-220-3 |
|
外形尺寸/长度： | 10.28 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 4.82 mm |
|
外形尺寸/高度： | 9.28 mm |
|
外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
|
物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 150℃ |
|
其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Each |
|
其他/制造应用： | Power Management, Sensing & Instrumentation, Industrial |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
|
符合标准/REACH SVHC版本： | 2016/06/20 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
V20120C-E3/4W
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | Surface Mount |
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 ### 特点 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
|
||
V20120C-E3/4W
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 ### 特点 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价