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技术参数/波长：
890 nm
技术参数/峰值波长：
技术参数/耗散功率：
50 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)：
25 V
技术参数/额定功率(Max)：
技术参数/下降时间(Max)：
15000 ns
技术参数/上升时间(Max)：
技术参数/工作温度(Max)：
125 ℃
技术参数/工作温度(Min)：
-65 ℃
技术参数/耗散功率(Max)：
封装参数/安装方式：
Surface Mount
封装参数/引脚数：
2
封装参数/封装：
Pill
外形尺寸/封装：
物理参数/材质：
Silicon
物理参数/工作温度：
-65℃ ~ 125℃ (TA)
其他/产品生命周期：
Active
其他/包装方式：
Bulk
符合标准/RoHS标准：
RoHS Compliant
符合标准/含铅标准：
Lead Free
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