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描述: SRAM,R1LV 系列,Renesas Electronics R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。 单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力 ### SRAM(静态随机存取存储器)
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封 装: TFBGA-48
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包装方式: Tray
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10-49:
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50-99:
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100-199:
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200-499:
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技术参数/供电电流:

40 mA

 

技术参数/时钟频率:

1 MHz

 

技术参数/位数:

8, 16

 

技术参数/存取时间:

70 ns

 

技术参数/存取时间(Max):

70 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

85 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-40 ℃

 

技术参数/电源电压:

2.7V ~ 3.6V

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

48

 

封装参数/封装:

TFBGA-48

 

外形尺寸/长度:

7.5 mm

 

外形尺寸/宽度:

8.5 mm

 

外形尺寸/高度:

0.8 mm

 

外形尺寸/封装:

TFBGA-48

 

物理参数/工作温度:

-40℃ ~ 85℃ (TA)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tray

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

PB free

 

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