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描述: ON SEMICONDUCTOR NJVMJD31CT4G-VF01 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
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封 装: TO-252-3
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技术参数/频率:

3 MHz

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/极性:

NPN

 

技术参数/耗散功率:

15 W

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

100 V

 

技术参数/最小电流放大倍数(hFE):

25 @1A, 4V

 

技术参数/额定功率(Max):

1.56 W

 

技术参数/直流电流增益(hFE):

10

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-65 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

1560 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-252-3

 

外形尺寸/封装:

TO-252-3

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

Automotive, 电源管理, Industrial, Power Management, Automotive, 工业, Industrial, Power Management, 车用

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

无铅

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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