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型号: V20120S-E3/4W
描述: TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 ### 特点 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Tube
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25-49:
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50-99:
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100-499:
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500-2499:
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技术参数/输出电流:

≤20.0 A

 

技术参数/正向电压:

1.12V @20A

 

技术参数/极性:

Standard

 

技术参数/正向电流:

20 A

 

技术参数/正向电压(Max):

1.12V @20A

 

技术参数/正向电流(Max):

20 A

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-40 ℃

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.54 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.7 mm

 

外形尺寸/高度:

15.32 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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