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描述: MOSFET, P-Ch, Vds -40V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 5mohm, Id 110A, TO-263, Pd 375W
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技术参数/漏源极电阻:

0.005 Ω

 

技术参数/耗散功率:

375 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

40 V

 

技术参数/上升时间:

290 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

11300pF @25V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

35 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

15W (Ta), 375W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-263-3

 

外形尺寸/长度:

10.414 mm

 

外形尺寸/宽度:

9.65 mm

 

外形尺寸/高度:

4.83 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-263-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2014/12/17

 

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