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型号: IPB081N06L3G
描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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封 装: TO-263
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/额定功率:

79 W

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

79.0 W

 

技术参数/上升时间:

26 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

3700pF @30V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

7 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

79 W

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-263

 

外形尺寸/长度:

10.31 mm

 

外形尺寸/宽度:

9.45 mm

 

外形尺寸/高度:

4.57 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-263

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

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