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型号: PD20010S-E
描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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封 装: PowerSO-10RF
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包装方式: Tube
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技术参数/频率:

2 GHz

 

技术参数/耗散功率:

59 W

 

技术参数/输出功率:

10 W

 

技术参数/增益:

11 dB

 

技术参数/测试电流:

150 mA

 

技术参数/输入电容(Ciss):

45pF @12.5V(Vds)

 

技术参数/工作温度(Max):

165 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-65 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

59000 mW

 

技术参数/额定电压:

40 V

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

PowerSO-10RF

 

外形尺寸/长度:

7.5 mm

 

外形尺寸/宽度:

9.4 mm

 

外形尺寸/高度:

3.5 mm

 

外形尺寸/封装:

PowerSO-10RF

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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