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型号: PD85035S-E
描述: RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
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封 装: PowerSO-10RF
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包装方式: Tube
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技术参数/频率:

870 MHz

 

技术参数/耗散功率:

95000 mW

 

技术参数/输出功率:

15 W

 

技术参数/增益:

17 dB

 

技术参数/测试电流:

350 mA

 

技术参数/输入电容(Ciss):

76pF @12.5V(Vds)

 

技术参数/工作温度(Max):

165 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-65 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

95000 mW

 

技术参数/额定电压:

40 V

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

PowerSO-10RF

 

外形尺寸/封装:

PowerSO-10RF

 

物理参数/工作温度:

-65℃ ~ 150℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

海关信息/香港进出口证:

NLR

 

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