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型号: PHT4NQ10T,135
描述: NXP PHT4NQ10T,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
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封 装: TO-261-4
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/通道数:

1

 

技术参数/针脚数:

4

 

技术参数/漏源极电阻:

0.2 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

6.9 W

 

技术参数/阈值电压:

3 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

3.50 A

 

技术参数/上升时间:

13 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

300pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

6.9 W

 

技术参数/下降时间:

11 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

6.9W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

4

 

封装参数/封装:

TO-261-4

 

外形尺寸/宽度:

3.7 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-261-4

 

物理参数/工作温度:

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

Power Management, Industrial

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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