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型号: FDD6637
描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6637 晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -35 V, 9.7 mohm, -10 V, -1.6 V
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封 装: TO-252-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0097 Ω

 

技术参数/极性:

P-Channel

 

技术参数/耗散功率:

57 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

35 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

-13.0 A

 

技术参数/上升时间:

10 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

2370pF @20V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

1.3 W

 

技术参数/下降时间:

36 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

3.1W (Ta), 57W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-252-3

 

外形尺寸/长度:

6.73 mm

 

外形尺寸/宽度:

6.22 mm

 

外形尺寸/高度:

2.39 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-252-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

Power Management, Industrial

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/06/15

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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