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型号: APT37M100B2
描述: N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
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封 装: TO-247-3
货 期:
包装方式: Tube
标准包装数: 1
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10-49:
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100-199:
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技术参数/额定电压(DC):

1.00 kV

 

技术参数/额定电流:

37.0 A

 

技术参数/耗散功率:

1135W (Tc)

 

技术参数/输入电容:

9.84 nF

 

技术参数/栅电荷:

305 nC

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

1000 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

37.0 A

 

技术参数/上升时间:

40 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

9835pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

1135 W

 

技术参数/下降时间:

38 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

1135W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-247-3

 

外形尺寸/封装:

TO-247-3

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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