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技术参数/输出功率： | 80 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 225 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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其他/ECCN (US)： | EAR99 |
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其他/Configuration： | Dual Common Source |
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其他/Channel Mode： | Enhancement |
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其他/Channel Type： | N |
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其他/Number of Elements per Chip： | 2 |
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其他/Mode of Operation： | 2-Carrier W-CDMA |
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其他/Process Technology： | LDMOS |
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其他/Maximum Drain Source Voltage (V)： | 65 |
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其他/Maximum Gate Source Voltage (V)： | 10 |
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其他/Maximum VSWR： | 10 |
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其他/Maximum Gate Source Leakage Current (nA)： | 1000 |
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其他/Maximum IDSS (uA)： | 10 |
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其他/Maximum Drain Source Resistance (mOhm)： | 600(Typ)@10V |
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其他/Output Power (W)： | 80 |
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其他/Typical Power Gain (dB)： | 17 |
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其他/Maximum Frequency (MHz)： | 2170 |
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其他/Minimum Frequency (MHz)： | 2110 |
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其他/Typical Drain Efficiency (%)： | 43 |
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其他/Minimum Operating Temperature (°C)： | -65 |
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其他/Maximum Operating Temperature (°C)： | 225 |
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