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描述: RF Power Field-Effect Transistor, 1Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, H-36260-2, 2Pin
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封 装: H-36260-2
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/频率:

1.93GHz ~ 1.99GHz

 

技术参数/输出功率:

200 W

 

技术参数/增益:

15.9 dB

 

技术参数/测试电流:

1.6 A

 

技术参数/额定电压:

65 V

 

技术参数/电源电压:

30.0 V

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

H-36260-2

 

外形尺寸/封装:

H-36260-2

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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