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描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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封 装: H-37275-6
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/频率:

1.88 GHz

 

技术参数/输出功率:

80 W

 

技术参数/增益:

17 dB

 

技术参数/测试电流:

2.6 A

 

技术参数/工作温度(Max):

200 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-40 ℃

 

技术参数/额定电压:

65 V

 

封装参数/引脚数:

7

 

封装参数/封装:

H-37275-6

 

外形尺寸/高度:

4.59 mm

 

外形尺寸/封装:

H-37275-6

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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