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型号: R6504ENJTL
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 0.955 ohm, 10 V, 4 V
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封 装: TO-263
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.955 Ω

 

技术参数/耗散功率:

58 W

 

技术参数/阈值电压:

4 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

650 V

 

技术参数/上升时间:

20 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

220pF @25V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

45 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

58000 mW

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-263

 

外形尺寸/封装:

TO-263

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

 

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