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型号: R6020JNZC8
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.18 ohm, 15 V, 6 V
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封 装: TO-3
货 期:
包装方式: Rail, Tube
标准包装数: 1
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技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.18 Ω

 

技术参数/耗散功率:

76 W

 

技术参数/阈值电压:

6 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

600 V

 

技术参数/上升时间:

22 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1500pF @100V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

11 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

76000 mW

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-3

 

外形尺寸/封装:

TO-3

 

其他/包装方式:

Rail, Tube

 

符合标准/RoHS标准:

 

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