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其他/栅极电压Vgs:
4V@430uA
其他/Vgs(最大值):
±20V
其他/连续漏极电流Id:
15A(Tc)
其他/漏源极电压Vds:
650V
其他/栅极电荷Qg:
40nC@10V
其他/RdsOn(Max)@Id,Vgs:
315mOhms@6.5A,10V
其他/工作温度:
150℃(TJ)
其他/封装/外壳:
TO-3PF
其他/FET类型:
N-Channel
其他/Pd-功率耗散(Max):
60W(Tc)
符合标准/RoHS标准:
RoHS Compliant
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