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型号: IRF7413QPBF
描述: N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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技术参数/额定功率:

2.5 W

 

技术参数/极性:

N-CH

 

技术参数/产品系列:

IRF7413Q

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

30.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

13.0 A

 

技术参数/上升时间:

50 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1800pF @25V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

46 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

2.5 W

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

SOIC

 

外形尺寸/长度:

5 mm

 

外形尺寸/宽度:

4 mm

 

外形尺寸/高度:

1.5 mm

 

外形尺寸/封装:

SOIC

 

物理参数/材质:

Silicon

 

其他/产品生命周期:

Active

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

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