技术参数/频率： | 3 MHz |
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技术参数/耗散功率： | 2 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 40 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 15 @1A, 4V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 2 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2000 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Rail |
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符合标准/RoHS标准： |
| |
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-220-3 |
t-Pnp Si- Af Po ; Rohs Compliant: Yes
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Continental Device | 功能相似 | SFM |
STMICROELECTRONICS TIP29C 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 30 W, 1 A, 75 hFE
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TIP29C
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Boca Semiconductor (博卡半导体) | 功能相似 | 3 |
STMICROELECTRONICS TIP29C 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 30 W, 1 A, 75 hFE
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