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技术参数/漏源极电压(Vds)：
600 V
封装参数/封装：
TO-220
外形尺寸/封装：
其他/Field-effect transistor type：
N-ch
其他/Drain to Source voltage：
600V
其他/Continuous drain current：
3.5A
其他/Drain to Source on-state resistance：
2.2Ω(max)@V_GS=10V
其他/Package：
TO-220SIS
其他/Remarks：
世代：π-MOSVII / ゲート入力電荷量：11nC(typ.) / 入力容量：490pF(typ.)
其他/Product name：
小信号MOS FET 1素子
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