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描述: MOSFET N 沟道 DTMOS 系列,Toshiba ### MOSFET 晶体管,Toshiba
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技术参数/耗散功率:

270 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

600 V

 

技术参数/输入电容(Ciss):

4100pF @300V(Vds)

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

270 W

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-3

 

外形尺寸/长度:

15.5 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.5 mm

 

外形尺寸/高度:

20 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-3

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

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