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型号: ZXMN3A04DN8TA
描述: ZXMN3A04DN8 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ohm 功率MOSFET 表面贴装 - SOIC-8
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封 装: SOIC-8
货 期:
包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/额定电压(DC):

30.0 V

 

技术参数/额定电流:

6.80 A

 

技术参数/通道数:

2

 

技术参数/漏源极电阻:

30.0 mΩ

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

2.15 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

30 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

30.0 V

 

技术参数/栅源击穿电压:

±20.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

8.50 A

 

技术参数/上升时间:

6.1 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1890pF @15V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

1.81 W

 

技术参数/下降时间:

20.2 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

2150 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

SOIC-8

 

外形尺寸/宽度:

4 mm

 

外形尺寸/封装:

SOIC-8

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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