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描述: VISHAY SI7456DP-TI-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 V
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封 装: PowerPAK SO
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包装方式: Cut Tape (CT)
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技术参数/针脚数:

8

 

技术参数/漏源极电阻:

0.021 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

1.9 W

 

技术参数/阈值电压:

4 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

5.70 A

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

PowerPAK SO

 

外形尺寸/封装:

PowerPAK SO

 

其他/包装方式:

Cut Tape (CT)

 

其他/制造应用:

Automotive, Power Management, Industrial, Communications & Networking

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/06/15

 

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