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型号: SISF02DN-T1-GE3
描述: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
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品 牌: Vishay Siliconix
封 装: PowerPAK® 1212-8SCD
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其他/RoHS 状态:

符合 ROHS3 规范

 

其他/湿气敏感性等级 (MSL):

1(无限)

 

其他/ECCN:

EAR99

 

其他/HTSUS:

8541.29.0095

 

其他/制造商:

Vishay Siliconix

 

其他/系列:

TrenchFET® Gen IV

 

其他/包装:

卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带

 

其他/Product Status:

在售

 

其他/FET 类型:

2 N 沟道(双)共漏

 

其他/FET 功能:

标准

 

其他/漏源电压(Vdss):

25V

 

其他/25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

30.5A(Ta),60A(Tc)

 

其他/不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):

3.5 毫欧 @ 7A,10V

 

其他/不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):

2.3V @ 250µA

 

其他/不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):

56nC @ 10V

 

其他/不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):

2650pF @ 10V

 

其他/功率 - 最大值:

5.2W(Ta),69.4W(Tc)

 

其他/工作温度:

-55°C ~ 150°C(TJ)

 

其他/安装类型:

表面贴装型

 

其他/封装/外壳:

PowerPAK® 1212-8SCD

 

其他/供应商器件封装:

PowerPAK® 1212-8SCD

 

其他/基本产品编号:

SISF02

 

符合标准/RoHS标准:

 

符合标准/含铅标准:

无铅

 

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