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描述: VISHAY SQR50N06-07L-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 50A, 60V, 0.0064Ω, 10V, 2V
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技术参数/漏源极电阻:

0.0064 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

136 W

 

技术参数/阈值电压:

2 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

60 V

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-252

 

外形尺寸/封装:

TO-252

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

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