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型号: VNS1NV04D-E
描述: â ???? OMNIFET IIA ???? :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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品 牌: ST Microelectronics (意法半导体)
封 装: SOIC-8
货 期:
包装方式: Tube
标准包装数: 1
119.34  元 119.34元
1-9:
¥137.2410
10-49:
¥133.6608
50-99:
¥130.9160
100-199:
¥129.9613
200-499:
¥129.2452
500-999:
¥128.2905
1000-1999:
¥127.6938
≥2000:
¥127.0971
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10-49
50-99
100-199
200-499
价格
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133.6608
130.9160
129.9613
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价格 137.2410 133.6608 130.9160 129.9613 129.2452
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技术参数/额定电压(DC):

40.0 V

 

技术参数/额定电流:

1.70 A

 

技术参数/输出接口数:

2

 

技术参数/漏源极电阻:

250 mΩ

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

4.00 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

40.0 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

40.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

500 mA

 

技术参数/输出电流(Max):

1.7 A

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

SOIC-8

 

外形尺寸/封装:

SOIC-8

 

物理参数/工作温度:

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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