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技术参数/极性： | P-CH |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 4.9A |
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技术参数/上升时间： | 13 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 710pF @25V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 32 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2000 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC |
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外形尺寸/封装： | SOIC |
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物理参数/材质： | Silicon |
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其他/产品生命周期： | Active |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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