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技术参数/极性：
P-CH
技术参数/漏源极电压(Vds)：
30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids)：
4.9A
技术参数/上升时间：
13 ns
技术参数/输入电容(Ciss)：
710pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间：
32 ns
技术参数/工作温度(Max)：
150 ℃
技术参数/工作温度(Min)：
-55 ℃
技术参数/耗散功率(Max)：
2000 mW
封装参数/安装方式：
Surface Mount
封装参数/引脚数：
8
封装参数/封装：
SOIC
外形尺寸/封装：
物理参数/材质：
Silicon
其他/产品生命周期：
Active
符合标准/RoHS标准：
RoHS Compliant
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