超 40%！三星 4nm 逻辑芯片良率创新高，HBM4 有望提前登场
近日消息，在半导体存储领域的激烈竞争中，三星电子传来一则振奋人心的消息 。近日，据业内人士透露，三星电子代工部门迎来关键进展，其采用 4nm 工艺生产的、作为第六代高带宽存储器（HBM4）核心的 “逻辑芯片”，测试生产良率已成功突破 40% 大关 。这一成绩的取得，无疑为三星电子在 HBM4 的开发与量产进程注入了一剂 “强心针” 。
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