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  三星电子第四代HBM3 芯片得到英伟达认可

  亿配芯城 行业资讯 0 2024-07-25 15:02:30 (7 votes)

  7 月 24 日路透社消息，三星电子的第四代高带宽内存 HBM3 芯片已获英伟达批准，并首次用于其处理器。这是三星在 HBM 技术领域的重大突破，彰显了双方在高性能计算领域的深度合作。 

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  HBM 芯片发展迅猛的原因：亿配芯城为您解读

  亿配芯城 技术方案 0 2024-07-29 16:53:28 (7 votes)

  在当今的科技领域，HBM（高带宽存储器）芯片的发展势头极其迅猛，这其中AI和

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  存储芯片量价俱涨，台厂成最大赢家

  亿配芯城 行业资讯 0 2025-03-25 08:57:57 (7 votes)

  3月25日消息，AI 市场迅猛扩张 ，对 DRAM 位元的需求量急剧攀升 。三星、SK 海力士及美光（MICRON）等三大存储器芯片厂见状，积极将产能向高带宽存储器（HBM）转移 。这一举措使得利基型存储器、DDR4、DDR5 等产品的产出受限 ，从而推动 DRAM 价格有望快速回暖 。

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  36%！SK 海力士一季度 DRAM 营收超三星，成行业新势

  亿配芯城 行业资讯 0 2025-04-09 17:15:42 (7 votes)

  4月10日消息，市场调查机构 Counterpoint Research 的内存调查数据显示，2025 年第一季度，半导体内存市场风云突变 。SK 海力士以 36% 的份额，首次超越三星电子，荣登全球 DRAM 收入榜首。三星电子则以 34% 的份额位居第二，美光以 25% 的份额排名第三 。这一格局的改变，打破了长期以来三星在 DRAM 市场的主导地位 。

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