2月29日，据SPIE光刻会议上的消息，英特尔技术开发负责人Ann Kelleher宣布，他们在ASML的新型高数值孔径（High NA）EUV光刻机上实现了“初次曝光”的重要里程碑。ASML也对此进行了证实，并透露接下来将对该系统进行深入的测试和调整，以充分发挥其性能潜力。
什么是“初次曝光”？
“初次曝光”指的是光刻系统首次成功将光线图案精确投射到晶圆上。这不仅是技术验证的关键一步，也标志着该光刻系统已经完成了其基本功能，为进一步的测试和优化打下了坚实基础。
此次进展的意义何在？
高数值孔径EUV光刻技术被视为下一代芯片制造的核心技术之一。其独特优势在于能够在更紧凑的芯片空间内实现更为精细的电路蚀刻，从而推动芯片性能的大幅提升和能耗的显著降低。
ASML成功实现“初次曝光”意味着其在高数值孔径EUV光刻领域取得了实质性的进展。这不仅为下一代芯片的研发提供了强大支持，同时也为整个半导体行业的技术进步注入了新的活力。
值得一提的是，ASML本月初还展示了其下一代高数值孔径极紫外（EUV）光刻机，并透露其High-NA Twinscan EXE光刻机的市场定价约为3.5亿欧元。这一价格反映了该技术的先进性和高成本，但同时也预示着其可能带来的巨大商业价值。
_905.png "亿配芯城 (2).png")
