5月6日，国际科技行业传来了一则令人瞩目的消息。根据权威的国际报告，第三代的HBM3（高带宽内存）DRAM的报价自2023年年初以来，已经飙升了超过五倍。这一惊人的涨幅无疑在科技供应链中掀起了不小的波澜，尤其是对于那些高度依赖HBM技术的企业来说，如英伟达。
对于英伟达来说，HBM作为其核心产品中的关键元件，其价格的上涨势必会对其研发成本产生重大影响。高昂的原材料成本不仅可能挤压公司的利润空间，更可能对整个产品线的研发进度和市场竞争力产生负面影响。
然而，英伟达似乎并未坐以待毙。据报导，该公司疑似采取了一种策略性的手段，即故意泄漏有关HBM价格上涨的消息，以期在供应商之间引发竞争。这种策略的目的在于，通过加剧供应商之间的竞争，使英伟达在谈判中拥有更大的议价权，从而压低HBM的采购价格。
事实上，这一策略似乎已经开始产生效果。4月25日，SK集团董事长崔泰源匆匆前往硅谷与英伟达执行长黄仁勋会面，这一行动被市场解读为与上述策略有关。两家公司的领导层在会面中可能讨论了如何共同应对HBM价格上涨的问题，以及如何通过合作来确保稳定的供应链。
与此同时，英伟达也在积极测试新的HBM技术。据报道，该公司一直在测试三星领先业界开发出的12层堆叠HBM3E。然而，尽管英伟达对这项技术表示出浓厚的兴趣，但至今仍未明确表达与三星合作的意愿。市场对此的解读是，英伟达可能是在利用这种策略来激励三星电子，希望其能够进一步降低HBM3E的价格。
与此同时，另一家知名内存制造商SK海力士也在积极应对HBM市场的变化。该公司执行长Kwak Noh-Jung在5月2日表示，到2025年，用于AI芯片组的HBM几乎已经全数售罄，而2024年的供应也已全部订光。这进一步证明了HBM市场的火爆程度以及英伟达等公司对这一关键元件的迫切需求。
Kwak Noh-Jung还透露，SK海力士将在5月向客户送样12层堆叠的HBM3E，并预计从第三季开始量产。这一消息无疑为市场带来了新的期待，同时也进一步加剧了HBM市场的竞争态势。
综上所述，HBM价格的飞涨已经对整个科技行业产生了深远的影响。英伟达等公司正通过各种策略来应对这一挑战，以确保自身在激烈的市场竞争中保持领先地位。而供应商们也在积极应对市场需求的变化，力争在这一轮技术革新中抓住机遇。
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