南亚科技迈向1C nm制程，DDR5内存技术再升级

在科技日新月异的今天，南亚科技再次引领行业风潮，宣布其首款1C nm制程的DRAM内存产品即将进入试产阶段。这一里程碑式的进展不仅标志着南亚科技在半导体存储领域的持续创新，也为全球内存市场带来了新的活力。

5月30日 据综合台媒《工商时报》和《经济日报》报道，南亚科技在昨日的年度股东常会上透露，其领先的1C nm制程DRAM内存产品——16Gb DDR5颗粒，预计将于明年初正式进入试产阶段。这一产品的推出，将极大地提升南亚科技在高端DRAM市场的竞争力，同时也为消费者和企业用户带来更高速、更稳定的内存解决方案。

值得一提的是，南亚科技目前已经在1B nm制程的DRAM产品上取得了显著的进展。该公司正在进行涵盖8/4Gb DDR4内存和16Gb DDR5内存的试产工作，并计划在下半年少量试产首批DDR5内存，明年进一步提升产量。这一系列的举措，展现了南亚科技在DRAM研发和生产方面的强大实力。

除了现有的产品线外，南亚科技还在1B nm节点上规划了多款新产品，包括16Gb DDR5迭代版本、16Gb LPDDR5内存、16Gb LPDDR4内存和4Gb DDR3内存等。这些新产品的推出，将进一步丰富南亚科技的产品线，满足不同用户的需求。

此外，南亚科技还在积极开发TSV（Through-Silicon Via）技术。未来，南亚科技将结合DDR5内存颗粒和TSV技术，制造高容量的（3DS）DRAM内存模组。这种内存模组将具有更高的集成度和更大的容量，能够满足服务器市场对高性能、高容量内存的需求。

南亚科技在技术研发方面的投入和成果备受行业关注。该公司表示，在每个制程世代，南亚科技都能实现30%的位元提升速度。这一成绩的背后，是南亚科技对技术创新的执着追求和对市场需求的敏锐洞察。

目前，南亚科技正在与比利时imec微电子研究中心合作，为采用EUV（极紫外）光刻机的先进DRAM制程做准备。EUV光刻技术被认为是半导体制造领域的下一项重大技术突破，它能够实现更高的分辨率和更小的线宽，从而为南亚科技在DRAM制程方面带来更大的优势。

南亚科技的这一系列举措，不仅将推动其自身在半导体存储领域的持续发展，也将对整个行业产生深远的影响。随着技术的不断进步和市场的不断变化，南亚科技将继续保持其领先地位，为全球用户提供更优质、更高效的半导体存储解决方案。