6月16日，全球光刻机巨头ASML宣布了一项令人瞩目的技术进展——他们不仅成功向Intel交付了全球首台High NA EUV极紫外光刻机，而且正在积极研发更为先进的Hyper NA EUV光刻机，预计该技术将把半导体工艺推向前所未有的0.2nm，即2Å(埃米)。
ASML在光刻机领域的技术布局相当清晰，他们首先将焦点放在了Low NA EUV光刻机上。这一系列的孔径数值为0.33，产品命名为NXE系列，涵盖了从现有的3400B/C、3600D、3800E，到未来预计的4000F、4200G以及4X00等型号。NXE系列预计将在2025年实现2nm工艺的量产，并在随后的多重曝光技术的帮助下，于2027年达到1.4nm的量产水平。
然而，ASML并未止步于此。他们进一步推出了High NA EUV光刻机，这一系列的孔径数值提升到了0.55，产品命名为EXE系列。EXE系列包括已经问世的5000、5200B，以及预计的5400、5600、5X00等型号。EXE系列将直接从2nm以下的工艺起步，Intel作为首发客户已经采用了14A 1.4nm工艺。据ASML预测，EXE系列将在2029年左右实现1nm的量产，并在多重曝光技术的辅助下，于2033年前后达到0.5nm甚至0.7nm的量产水平。
然而，ASML并未满足于现状。他们正在研发更为先进的Hyper NA EUV光刻机，预计孔径数值将达到0.75甚至更高。这款名为HXE系列的光刻机预计将在2030年前后推出，并有可能实现0.2nm甚至更先进工艺的量产。尽管这一预测令人兴奋，但ASML也承认，目前尚不能完全确定Hyper NA光刻机的具体性能和可行性。
值得注意的是，尽管我们谈论的是0.2nm的工艺节点，但这并非真实的晶体管物理尺寸。实际上，这些工艺节点更多地是一种等效说法，它们基于性能、能效的一定比例提升来定义。例如，0.2nm工艺的实际晶体管金属间距大约在16-12nm之间，未来还将继续缩减至14-10nm。
在技术路径上，Low/High/Hyper三种光刻机将共同使用单一的EUV平台，这意味着大量的模块将彼此通用。这一设计策略不仅有助于降低研发、制造和部署的成本，还能确保技术之间的平滑过渡和升级。
然而，随着技术向物理极限逼近，挑战也日益增多。High NA光刻机的单台价格已经高达约3.5亿欧元，Hyper NA光刻机的价格预计将进一步上涨。同时，随着工艺的进步，光刻技术的物理极限也愈发明显。微电子研究中心(IMEC)的项目总监Kurt Ronse就对此表示悲观：“无法想象只有0.2nm尺寸的设备元件，只相当于两个原子宽度。或许到了某个时刻，现有的光刻技术必然终结。”尽管如此，ASML和整个半导体行业仍在不断寻求突破和创新，以应对未来的挑战和机遇。
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