6月17日，据韩国知名科技媒体The Elec报道，全球领先的半导体制造商SK海力士正计划大幅增加其1b nm制程DRAM（动态随机存取内存）的产能。此举是为了满足市场上对于高性能HBM3E（高带宽内存3E）的强劲需求。
随着大数据、云计算和人工智能技术的飞速发展，高性能计算（HPC）领域对内存带宽和容量的需求不断增长。HBM内存作为一种高性能、高带宽的内存解决方案，在HPC领域得到了广泛应用。然而，由于HBM内存对DRAM裸片的消耗远高于标准内存，市场上的HBM内存供应一直相对紧张。
为了缓解HBM内存的紧缺状况，SK海力士决定进一步扩张其1b nm制程DRAM的产能。据公司透露，他们计划到今年年底将1b nm内存晶圆的投片量增至9万片，并在明年上半年进一步增加到14至15万片。这将使得SK海力士在全球DRAM市场中占据更加有利的位置。
为了实现这一目标，SK海力士计划将其位于京畿道利川市的M16内存晶圆厂进行升级。M16晶圆厂目前主要生产1y nm DRAM内存，但SK海力士计划将其全面转产至更为先进的1b nm制程。这一转变将使得M16晶圆厂的产能得到显著提升，但也可能导致1y nm产能的下降。据估计，如果M16晶圆厂完全转产至1b nm制程，其1y nm产能将从现在的每月12万片晶圆下降至5万片。
为了顺利推进M16晶圆厂的升级工作，SK海力士已经提出了对晶圆厂进行设备移动和改造的要求。他们计划仅引进必需的沉积、光刻和蚀刻核心设备，以确保升级工作的顺利进行。这一决策体现了SK海力士在半导体制造领域的深厚实力和丰富经验。
尽管SK海力士的追加投资受到此前存储行业低谷期的影响，整体决策流程十分谨慎，但目前相关订单的增长已经超出了上游设备厂商的最初预期。这表明市场对高性能内存的需求依然旺盛，而SK海力士通过加大产能投入和升级晶圆厂等举措，将有望在未来市场中占据更加重要的地位。
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