6月24日消息，全球半导体解决方案的领军者瑞萨电子宣布，已成功完成对氮化镓（GaN）功率半导体全球供应商Transphorm的收购，收购价高达3.39亿美元。此次收购标志着瑞萨电子在宽禁带（WBG）半导体领域的战略布局迈出了重要一步，同时也加剧了与英飞凌在GaN设备领域的竞争。
随着交易的完成，瑞萨电子迅速推出了15种基于GaN的参考设计，这些设计涵盖了嵌入式处理、电源、连接和模拟产品等多个领域，充分展现了瑞萨电子在半导体技术领域的深厚实力和创新精神。特别值得一提的是，瑞萨电子此次推出的参考设计中，还包括了Transphorm的汽车级GaN技术设计，该技术将广泛应用于车载电池充电器以及电动汽车的三合一动力系统解决方案，进一步凸显了瑞萨电子在电动汽车领域的雄心壮志。
瑞萨电子高级副总裁兼电源总经理Chris Allexandre对此表示：“通过集成两家公司技术的交钥匙参考设计，我们的客户可以立即从新的GaN产品中受益。将GaN添加到我们的产品阵容中，不仅加强了我们对高性能、高效率半导体产品的投入，也坚定了我们致力于开发让人们的生活更轻松的产品和技术的承诺。我们坚信，提供节能、降低成本和最da限度减少环境影响的强大且可持续的电源解决方案，是实现这一目标的最好途径。”
为了进一步加强在功率半导体领域的竞争力，瑞萨电子近期还采取了一系列重要举措。首先，瑞萨电子开设了甲府工厂，这是一座专门用于电源产品的300mm晶圆厂，预计将大幅提升其电源产品的产能和质量。其次，瑞萨电子在高崎工厂增加了一条新的碳化硅（SiC）生产线，以满足对高性能、高可靠性功率半导体产品不断增长的需求。最后，瑞萨电子还与Wolfspeed达成了长期供应协议，确保未来10年SiC晶圆的稳定供应，为其在功率半导体市场的持续领先地位提供了有力保障。
Transphorm作为全球领先的GaN功率半导体供应商，自2007年成立以来，一直致力于研发和生产高性能、高效率的GaN功率半导体产品，并在市场上取得了显著成果。此次被瑞萨电子收购后，Transphorm将融入瑞萨电子强大的研发和生产体系中，共同推动GaN功率半导体技术的创新和发展。
与传统的硅基器件相比，GaN和SiC等宽带隙（WBG）材料具有更高的功率效率、更高的开关频率和更小的占用空间等显著优势。这些优势使得GaN和SiC等WBG材料成为下一代功率半导体的关键技术之一。受电动汽车、逆变器、数据中心服务器、人工智能（AI）、可再生能源、工业电源转换和消费应用等需求的推动，GaN和SiC产品预计在未来十年内都将实现快速增长。
