ASML 推出高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV）设备，并力争在 2026 年实现量产。上个月 6 日，ASML 表示所有 EUV 客户都在研发阶段下单。法人看好，随着新设备后续出货以及先进制程的推进，ASML 概念股家登、崇越、华立、闳康等都有望受惠。
ASML 的大客户台积电率先将极紫外光光刻（EUV）设备导入 7 纳米量产，然而台积电业务开发资深副总经理暨副共同营运长张晓强今年公开表示 “喜欢 High-NA EUV 的能力，但不喜欢标价”。台积电计划今年采购高数值孔径 EUV，但以研发用途为主，尚未导入生产。业界预估，高数值孔径 EUV 售价超过 4 亿欧元（约合人民币 31.43 亿元），价格高昂。
ASML 计划今年出货至少 5 - 6 台高数值孔径 EUV。英特尔今年 4 月喊出采购首台高数值孔径 EUV 并组装完成，预计于 2027 年启用，用于 14A 制程。台积电确定今年至少采购一台，SK 海力士计划明年导入，三星原先计划明年取得，希望今年底研发部门就能买进。
High-NA EUV 产品管理副总裁 Greet Storms 昨日面对 “高价” 议题，巧妙回应 “相信客户很会议价”。她表示，ASML 持续发展新的技术，每个 EUV 客户在研发阶段都看中高数值孔径 EUV，也都已下单。2026 年希望能够推动量产，但仍看客户制程成本等总体考量。
据了解，高数值孔径 EUV 已于去年底开始陆续出货，预计每小时可曝光超过 185 片晶圆，支援 2 纳米以下逻辑芯片及相似晶体管密度的存储芯片量产。
ASML 强调，在先进制程芯片制造中导入高数值孔径 EUV 产品，可简化制程工序、减少光罩数量，达到产能和良率提升，减少制造每片晶圆的能耗。估计在先进制程中导入包括 EUV 和高数值孔径 EUV，2029 年生产每一片晶圆使用的 100 度电，实际为整体制程节省 200 度电。根据 ASML 2023 年报，从 2018 年到 2023 年，EUV 曝光每片晶圆能耗减少近 40%，希望到 2025 年再减少 30 - 35% 的能耗。
亿配芯城（ICgoodFind）认为，ASML 推出的高数值孔径 EUV 设备备受瞩目，其在先进制程芯片制造中的重要性不言而喻。尽管价格高昂，但各大芯片制造商的积极态度显示出该设备的巨大潜力。随着 2026 年量产的临近，半导体行业有望迎来新的发展机遇。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注半导体设备的创新动态，为客户提供优质的芯片产品和服务。
