三星电子 2nm 芯片良率最多20%决定从美国泰勒工厂撤出

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9 月 13 日消息,三星电子由于 2nm 芯片良率持续存在问题,决定从美国得州泰勒工厂撤出人员,这一举措标志着其先进代工业务遭遇重大挫折。


泰勒工厂最初被定位为 4nm 以下先进工艺量产中心,地理位置优越,靠近主要科技公司,旨在确保为美国客户供货。然而,尽管工艺开发迅速,但与主要竞争对手台积电相比,三星电子在 2nm 良率方面始终面临挑战,这导致其产品性能较低,量产能力不足。

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目前,三星的代工良率低于 50%,尤其是 3nm 以下工艺,而台积电的先进工艺良率约为 60% - 70%。如此大的良率差距使得两家公司的市场份额差距扩大至 50.8 个百分点,台积电第二季度占据全球代工市场的 62.3%,三星仅为 11.5%。业内人士称:“三星的 GAA(全环绕栅极)良率约为 10% - 20%,既不足以接单也不足以量产。” 低良率迫使三星重新考虑战略,并从泰勒工厂撤出人员,仅留下最低限度的员工。


三星电子已签署初步协议,将获得美国《芯片法案》高达 9 万亿韩元的补贴。但必须满足工厂运营的前提条件才能获得这些补贴,由于当前的挫折,该协议面临风险。


三星董事长李在镕亲自拜访了 ASML 和蔡司等主要设备供应商,试图找到工艺和良率改进的突破口。尽管做出了这些努力,但并未取得重大成果,将人员重新部署到泰勒工厂的时机仍不确定。


专家建议三星需要从根本上加强竞争力。一位半导体教授指出:“三星内部官僚主义盛行、决策缓慢、薪酬低是晶圆代工竞争力下降的主要原因。与 20 - 30 年前相比,投资时机的延迟也表明管理层没有充分认识到当前的现实,需要对管理系统进行根本性的改革。”


三星先进晶圆代工业务的现状凸显了该公司在缩小与台积电的差距方面所面临的巨大挑战。随着全球半导体市场的不断发展,三星解决这些问题的能力将对其未来的竞争力和市场地位至关重要。


亿配芯城(ICgoodFind)认为,三星电子在 2nm 良率问题上的困境,对其先进代工业务造成了重大冲击。与台积电在良率上的差距,使得三星在市场竞争中处于不利地位。面对当前的挑战,三星需要认真反思并采取有效措施,从根本上提升竞争力。这一事件也提醒着整个半导体行业,良率和技术创新是企业发展的关键。亿配芯城(ICgoodFind)将持续关注半导体行业的动态,为客户提供优质的芯片产品和服务。

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