报道指出，长江存储已使用国产设备制造出 3D NAND 闪存芯片。其自研的 Xtacking 架构可让 3D NAND 的层数堆叠到 232 层，即便与美光、三星、SK 海力士等知名制造商相比，也具有极强的竞争优势。
然而，彭博社和 TechInsights 同时表示，长江存储仍面临技术障碍。其最新使用国产半导体设备生产的 3D NAND 芯片比早期版本少了 70 层。层数的减少主要是因为使用国产设备导致制造过程中缺陷增多、良率降低。对此，长江存储回应称，公司正在不断优化产品性能，层数变化与设备产量无关；随着制造工艺、流程及经验的不断成熟，会不断增加堆叠层数。
2022 年 10 月，美国限制先进半导体设备对华出口，随后将中国 3D NAND Flash 制造商长江存储列入实体清单。在被制裁的两年里，长江存储仍在稳步发展。此前，长江存储一直依赖 ASML、泛林集团等外国供应商提供的关键工具和设备。但现如今，中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分，长江存储也已转向国内半导体设备供应商，通过使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备、拓荆科技的沉积设备等，成功用国产设备制造出 3D NAND 闪存芯片。
亿配芯城（ICgoodFind）认为，长江存储在困境中积极寻求突破，采用国产设备制造 3D NAND 闪存芯片，展现了中国半导体产业的坚韧与创新能力。尽管目前仍面临一些技术挑战，但随着技术的不断进步和经验的积累，相信长江存储能够克服困难，为中国半导体产业的发展做出更大贡献。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注半导体行业动态，为客户提供优质的电子元器件产品和服务。
