10 月 22 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称，三星电子在本月实现了一项重大突破，首次开发出 1c nm（第 6 代 10nm 级）DRAM 内存 Good Die 良品晶粒。这一成果在公司内部得到了积极评价。
然而，三星的 1c nm DRAM 量产开发仍需一段时间。目前，首批产品良率不足一成。在产能方面，三星电子计划在今年底前建成第一条 1c nm DRAM 内存量产线。
参考相关报道，三星电子下代 HBM 内存 HBM4 预计将基于 1c nm DRAM。三星此举旨在通过制程优势追赶在 HBM3E 量产供应上更为快速的 SK 海力士与美光两大对手，从而夺回在 HBM 领域的市场份额。
根据行业以往惯例，每代 DRAM 制程通常首先应用于 DDR 通用内存，然后逐渐扩展到 LPDDR，最终再在对 DRAM 良率与性能要求严苛的 HBM 上使用。
不过，考虑到 1c nm DRAM 世代首台产线直到今年底才会建成，全面量产最早也需要到 2025 上半年。而此前消息称三星电子 HBM4 将于 2025 年底量产，这意味着三星很可能在 1c nm 上打破常规顺序，对该 DRAM 制程的良率与性能爬坡速度提出了更高要求。
亿配芯城（ICgoodFind）总结：三星电子在 DRAM 领域的新突破为半导体行业带来了新的活力。在竞争激烈的市场环境中，技术创新和量产能力至关重要。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注半导体行业的动态，为客户提供优质的电子元器件及专业服务，共同见证行业的发展与进步。
