10 月 31 日消息，分析机构 TrendForce 集邦咨询发布了关于 HBM 内存芯片技术的重要分析。三大 HBM 内存巨头在对堆叠高度限制、I/O 密度、散热等要求的考量下，已确定于 HBM5 20hi 世代使用混合键合 Hybrid Bonding 技术。
该机构认为，在 HBM4、HBM4e 两代产品上，SK 海力士、三星电子、美光三家企业均会推出 12hi、16hi 版本以满足对不同容量的需求。其中，12hi 产品将继续使用现有的微凸块键合技术，而 16hi 产品的技术路线尚未确定。
此外，英伟达未来的 AI GPU 将与 HBM5 内存以 3D 堆叠而非现有 2.5D 的形式集成。
分析机构指出，无凸块的混合键合技术具有诸多优势。它可容纳较多堆叠层数，也能容纳较厚的晶粒厚度，以改善翘曲问题，能提升芯片传输速度，散热表现也更为优异。但还需克服微粒控制等技术问题。
在 HBM4 (e) 16hi 产品上是否采用混合键合是一个两难问题。提前导入混合键合固然可及早经历新堆叠技术的学习曲线，确保 HBM5 20Hi 顺利量产，但也意味着额外的设备投资，此前在微凸块键合上积累的技术优势也将部分损失。
混合键合需以 WoW（晶圆对晶圆）模式堆叠，这不仅对前端生产良率提出了更高要求，也意味着第一层（也是每一层）DRAM 芯片的尺寸需与底部 Base Die 相同。
而 HBM 内存的 Base Die 正走向外部化、定制化，台积电等同时具备先进 Base Die 生产与 WoW 堆叠能力的企业有望更深程度参与 HBM 生产，从而改变 HBM + 先进封装链条的商业模式。
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