12 月 23 日消息震撼半导体存储领域。据韩国媒体 ZDNet Korea 昨天报道，中国 DRAM 芯片大厂长鑫存储（CXMT）已经成功跨越重重难关，实现了 DDR5 内存芯片的量产壮举，并且已有多家 DRAM 模组厂商迅速行动起来，开始销售基于其 DDR5 芯片的 DRAM 模组。长鑫存储此前主要聚焦于 19nm 工艺的 DDR4/LPDDR4/LPDDR4X 芯片领域，此次 DDR5 成功量产无疑是一个重大里程碑，表明了国产存储在奋力追赶全球头部 DRAM 厂商如三星、SK 海力士、美光 等的征程中速度正在显著加快，市场竞争力也在持续稳步提升。
据了解，目前只有少数 DRAM 厂商如三星、SK 海力士、美光 等能够生产 DDR5 芯片。一位半导体行业相关人士透露关键信息，“据我了解，长鑫存储最近已经开始生产 DDR5，正在积极与客户接洽，其所公布的良品率在 80% 左右。” 这一令人瞩目的数据与韩国企业的 80 - 90% 良品率相近，强有力地显示出长鑫存储在量产工艺技术方面已经提升到了世界先进水平，足以与国际巨头在 DDR5 芯片生产领域一较高下。
中国的存储模组品牌厂商如金百达（King Bank）和光威（Gloway）等，已经在市场上积极布局，开始在线销售标注为 “国产 DDR5” 的
DRAM 模组。虽然他们并未明确说明其 DRR5 芯片的来源，但业界凭借敏锐的洞察力和专业的判断，普遍认为是由长鑫存储制造的。这也从侧面反映出长鑫存储在国产 DDR5 芯片供应方面的关键地位和影响力。
在接受韩媒的采访中，TechInsights 的 Jeongdong Choi 博士发表专业见解：“我们很快就会对该 DDR5 进行深入分析，我们需要密切关注它对市场的影响。” 并进一步表示：“虽然长鑫存储尚未正式向外界透露其开发 DDR5 的计划，但我知道 DDR5 的开发是使用 G3 工艺（线宽 17.5 纳米）进行的。“DDR4 已经作为 G1 （22nm） 商业化，LPDDR4X 正在基于 G1 和 G3 生产。” 这为我们揭示了长鑫存储在 DDR5 开发背后的技术工艺细节，也让我们对其技术实力有了更深入的认识。
DDR5 由 SK 海力士于 2020 年首次发布，其数据容量是上一代 DDR4 的 4 倍，数据处理速度是 DDR4 的 2 倍。 然而，由于美国的制裁，中国企业目前无法进口 EUV 光刻设备，这无疑给长鑫存储在制造更精细电路、降低功耗并增加存储容量方面带来了一定的挑战和阻碍。尽管面临如此困境，长鑫存储凭借坚韧不拔的毅力和优秀的创新精神，仍通过现有设备和技术，成功实现了 DDR5 的量产，并达到了较高的良品率，充分展现了其强大的技术研发和应对困难的能力。
此外，长鑫存储还在 2023 年 11 月 28 日宣布推出 LPDDR5 系列
DRAM 产品，正式进军移动终端市场。这一战略举措丰富了产品线，也为其在未来的市场竞争中提供了更多的机会和可能。据悉，长鑫存储的 LPDDR5 系列产品已经与小米、传音等国产手机品牌完成了上机验证，这为其在移动终端市场的推广奠定了坚实的基础，也预示着国产存储在移动终端领域将发挥越来越重要的作用。
在全球半导体
DRAM 产业竞争激烈且技术迭代迅速的大背景下，长鑫存储 DDR5 量产及相关进展成为行业焦点。
亿配芯城与
ICGOODFIND密切关注行业动态。长鑫存储凭借 DDR5 量产在工艺技术、市场拓展及产品线丰富等多方面的成果，为国产存储企业在技术追赶、产品创新与市场竞争方面提供了参考范例，促使行业深入思考如何在外部限制下突破瓶颈、提升竞争力与实现可持续发展，以巩固自身在全球半导体产业链中的地位与影响力。
