12 月 30 日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司正式在香港联合交易所主板挂牌上市（股票简称 “英诺赛科”，股票代码 02577.HK），公司领导及员工共同敲响上市钟，见证这一里程碑时刻。英诺赛科创始人、董事长骆薇薇博士称：“英诺赛科是全球功率半导体革命领导企业和氮化镓晶片制造企业，此次上市是重要里程碑，将迈向全球市场，用 GaN 改变世界，让地球更绿色，持续专注技术创新，赋能客户体验氮化镓产品。”
英诺赛科 2017 年成立，专注第三代半导体氮化镓芯片研发制造，产品含分立器件等。截至 2023 年末，其氮化镓分立器件出货量全球第一，市占率 42.4%。它率先建全球首条 8 英寸 GaN 产线，解决氮化镓器件推广痛点，推动其替代硅器件进程，多项 “第一” 奠定全球领导地位，如首家实现 8 英寸硅基氮化镓晶圆量产，使每晶圆晶粒产出数升 80%、芯片成本降 30%，加速商业化。截至 2024 年 6 月，累计出货超 8.5 亿颗。
业绩增长显著，2023 年收入约 5.93 亿元，较 2021 年增 769%。上市募资主要用于扩产能等，60% 资金提升 8 英寸氮化镓晶圆产能，从每月 1.25 万片到未来 5 年每月 7 万片，还完善产品品类、拓宽应用领域，已实现氮化镓全产业链覆盖，各产品收入增长，2023 年氮化镓分立器件及集成电路收入约 1.92 亿，复合年增长率 163%，氮化镓晶圆收入约 2.09 亿，复合年增长率 130.1%，当年还销售氮化镓模组收入约 1.9 亿元，20% 募资用于研发及扩大产品组合，提升终端市场渗透率，产品已广泛覆盖多领域应用。
随着上市，英诺赛科有望借资本市场提升全球氮化镓市场地位，加速技术与业务拓展，巩固龙头地位，创造新辉煌。
亿配芯城 ICGOODFIND总结：
在全球半导体产业蓬勃发展且氮化镓技术逐渐崛起的背景下，英诺赛科的上市及其发展历程成为行业亮点。亿配芯城与ICGOODFIND关注到，英诺赛科凭借技术创新、产能扩张和市场拓展，在氮化镓领域取得领先地位和高速增长，其上市为进一步发展提供机遇，也为半导体企业在技术研发、市场竞争和资本运作方面提供范例，促使行业思考如何把握新兴技术趋势，通过优化资源配置和战略布局，实现可持续发展与全球竞争力提升，共同推动半导体产业迈向新高度，为各行业应用提供更高效的半导体解决方案。
