明年上半年DRAM继续吃紧、NAND恐供大于求

文章图片

  内存明年市况恐将不同调,DRAM市场仍将持续吃紧,NAND Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。


  DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态,产品价格同步高涨,只是业界普遍预期,明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。


  内存模块厂创见指出,DRAM 市场供货持续吃紧,价格未见松动迹象。 NAND Flash 方面,随着 3D NAND Flash 技术日益成熟,生产良率改善,可望填补供货缺口。


  另一内存模块厂威刚表示,短期内全球 DRAM 大厂仍理性看待产能议题,并未有大幅破坏产业生态的计划,持续正面看待 DRAM 市况。


  NAND Flash 方面,威刚指出,随着供货商 3D NAND Flash 良率逐步改善,预期明年第 1 季整体供需将出现转变。


  美光预期,明年 DRAM 位供给将增加约 20%,市场环境仍将持续健康;NAND Flash 位供给则将增加近 50%,供给增加幅度将远高于 DRAM。


相关文章

发表评论

评论

    暂无评论

©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号

Scroll