2月24日消息，日本芯片制造商铠侠（Kioxia）成功开发出全新的 NAND 闪存技术，这一成果堪称行业内的一颗重磅炸弹。该技术不仅拥有更高的存储容量，接口速度更是提升了 33% ，预计在人工智能（AI）数据中心将引发强劲需求。
性能大幅提升，对比优势显著
日本生产待定，竞争态势激烈
虽然该闪存确定将在日本生产，但具体时间表尚未公布。铠侠正积极投身于激烈的市场竞争中，众多竞争对手也在开发 300 层以上的闪存技术，这场技术竞赛已然进入白热化阶段。
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2月24日消息，日本芯片制造商铠侠（Kioxia）成功开发出全新的 NAND 闪存技术，这一成果堪称行业内的一颗重磅炸弹。该技术不仅拥有更高的存储容量，接口速度更是提升了 33% ，预计在人工智能（AI）数据中心将引发强劲需求。
虽然该闪存确定将在日本生产，但具体时间表尚未公布。铠侠正积极投身于激烈的市场竞争中，众多竞争对手也在开发 300 层以上的闪存技术，这场技术竞赛已然进入白热化阶段。
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