泛林全球首型钼原子层沉积设备震撼登场
2月24日消息，半导体设备巨头泛林集团 Lam Research强势推出全球首型钼（Mo）原子层沉积（ALD）设备 ——ALTUS Halo 。这一开创性设备，一经推出就已在逻辑半导体和3D NAND领域成功 “破冰”，获得早期应用，引发行业内外高度关注。
钼元素逆袭，ALTUS Halo 实力撑腰
在半导体布线工艺的漫长发展历程中，钨曾凭借优秀的沟槽填充能力 “称霸一时”。然而，随着半导体制程不断向更先进的方向迈进，钨较高的电阻成为其发展瓶颈，劣势日益明显。此时，钼凭借在沟槽填充和低电阻两方面的表现，异军突起，成为布线工艺的新希望。而ALTUS Halo就像是钼元素的 “专属使者”，能够精准地向半导体注入钼。泛林集团高管自豪表示：ALTUS Halo 融合了独特的四站模块架构与 ALD 新技术，成功实现低电阻率钼沉积，这无疑是满足未来芯片发展（如千层 3D NAND、4F2 DRAM、先进 GAA 逻辑电路 ）的关键一步。
美光点赞，合作双赢初显成效
美光负责 NAND 开发的副总裁毫不吝啬对 ALTUS Halo 的称赞：“钼金属化的成功集成，让美光在新一代 NAND 产品中成功实现了业界领先的 I/O 带宽和存储容量。可以说，没有泛林的 ALTUS Halo 设备，就没有钼的顺利量产 。” 这一番话，足以证明 ALTUS Halo 在实际应用中的强大实力和重要价值。
同期发布蚀刻设备，技术版图再扩张
与此同时，泛林集团还带来了另一款重磅产品 —— 等离子体蚀刻设备Akira。它采用的固态等离子体源堪称 “黑科技”，能够让等离子体响应速度飙升 100 倍 ，支持超高精度蚀刻，复杂的 3D 结构对它来说也不在话下。Akira 的诞生，进一步丰富了泛林集团的技术版图，为半导体制造提供了更多可能。
亿配芯城（ICgoodFind）认为，泛林集团这两款设备的推出，彰显了其在半导体设备领域的强大创新实力，必将推动整个行业迈向新的高度。亿配芯城（ICgoodFind）也将持续紧盯行业动态，凭借自身优势，为客户提供更优质的电子元器件产品和服务，助力行业持续繁荣发展。
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